0
0
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Новинка

Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s

В наличии много
Код: MZ-V9V2T0BW
Производитель: SAMSUNG
Доставка
Доставка СДЭК
Доставка СДЭК
от
400 ₽
Курьеом СДЭК по России и ЕАЭС
Курьеом СДЭК по России и ЕАЭС
отправка завтра
от
900 ₽
Оплата
Ю-касса
Ю-касса
Карты МИР
Карты МИР
Долями
Долями
По счёту
По счёту

Описание Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s

SSD-накопитель Samsung 990 EVO: скорость и надёжность для вашего ПК

Увеличьте производительность вашего компьютера с SSD-накопителем Samsung 990 EVO! Этот внутренний твердотельный накопитель обеспечит быструю загрузку операционной системы и приложений, ускорит передачу данных и сделает работу с компьютером максимально комфортной.

Почему стоит выбрать Samsung 990 EVO?

  • Высокая скорость работы: максимальная скорость чтения — до 7250 МБ/с, записи — до 6450 МБ/с. Вы заметите значительное ускорение работы вашего ПК.
  • Большой объём: 2 ТБ свободного пространства для хранения всех ваших файлов, программ и игр.
  • Надёжность и долговечность: среднее время наработки на отказ — 1500 тысяч часов. Вы можете быть уверены в стабильности работы накопителя.
  • Устойчивость к внешним воздействиям: ударостойкость 1500G/0,5 мс защитит данные при непредвиденных ситуациях.

Технические характеристики:

  • форм-фактор: M.2 2280;
  • интерфейс: PCI-E;
  • тип памяти: TLC 3D NAND;
  • номинальный объём: 2000 ГБ.

Выберите SSD-накопитель Samsung 990 EVO и наслаждайтесь быстрой и надёжной работой вашего компьютера!

Основные характеристики Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s

Версия NVMe 2.0
Версия PCI-E PCIe 4.0 x4
Интерфейс PCI-E
Максимальная скорость записи, МБ/с 6450
Максимальная скорость чтения, МБ/с 7250
Назначение для ноутбуков/компьютеров
Номинальный объем, ГБ 2000
Поддержка NVMe Да
Серия продукции 990 EVO
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 850
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Температура эксплуатации 0...+70C
Ударостойкость 1500G/0.5мс
Форм-фактор накопителя M.2 2280
Энергопотребление при работе, max, Вт 4.3
Основные характеристики
Тип Внутренний твердотельный накопитель
Модель MZ-V9V1T0BW
Оперативная память
Тип памяти 3D NAND TLC
Корпус
Вес, г 9
Прочие характеристики
Высота, мм 22.15
Толщина, мм 2.38
Комплект поставки Накопитель, документация
Гарантия, мес 12

Отзывы о Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s

0
0
0
0%
0
0%
0
0%
0
0%
0
0%

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s

Нет вопросов об этом товаре.
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4,  TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Код: MZ-V9V2T0BW
В наличии
42 770 ₽
Сравнение товаров
Код товара
MZ-V9V2T0BW
Производитель
SAMSUNG
Рейтинг
0 / 0
Вес
0.00
Размеры (Д х Ш х В)
0.02 × 0.10 × 0.15
Версия NVMe
2.0
Версия PCI-E
PCIe 4.0 x4
Интерфейс
PCI-E
Максимальная скорость записи, МБ/с
6450
Максимальная скорость чтения, МБ/с
7250
Назначение
для ноутбуков/компьютеров
Номинальный объем, ГБ
2000
Поддержка NVMe
Да
Серия продукции
990 EVO
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
850
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
1200
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.
1500
Температура эксплуатации
0...+70C
Ударостойкость
1500G/0.5мс
Форм-фактор накопителя
M.2 2280
Энергопотребление при работе, max, Вт
4.3
Версия SATA
-
Контроллер
-
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
-
Тип комплектации
-
Тип
Внутренний твердотельный накопитель
Модель
MZ-V9V1T0BW
Тип памяти
3D NAND TLC
Вес, г
9
Высота, мм
22.15
Толщина, мм
2.38
Комплект поставки
Накопитель, документация
Гарантия, мес
12
Особенности
-
AP256GAS350XR-1
Apacer
0 / 0
0.07
0.25 × 0.25 × 0.54
-
-
SATA
540
560
для ноутбуков/компьютеров
256
-
AS350X
38
78
1500
0...+70C
1500G/0.5мс
2.5"
-
SATA 6 Гб/с
SMI SM2258
180
RTL
Внутренний твердотельный накопитель
AP256GAS350XR-1
3D NAND TLC
45
69.9
7
Инструкция, накопитель
36
Рабочая температура - от 0 до +70C. Поддержка ECC до 72 бит/1Кб
CT2000T710SSD8
Crucial
0 / 0
0.00
0.10 × 0.14 × 0.02
-
PCIe 5.0 x4
PCI-E
13800
14500
для ноутбуков/компьютеров
2000
Да
-
2200
2300
-
0...+70C
-
M.2 2280
-
-
-
1200
RTL
Внутренний твердотельный накопитель
T710
NAND
7
22.1
2.29
Накопитель, документация (опция)
12
-
AP256GAS350-1
Apacer
0 / 0
0.07
0.54 × 0.26 × 0.24
-
-
SATA
540
560
для ноутбуков/компьютеров
256
-
AS350 Panther
85
86
1500
-
1500G/0.5мс
2.5"
1.35
SATA 6 Гб/с
-
180
RTL
Внутренний твердотельный накопитель
AP256GAS350-1
3D NAND TLC
48
69.9
7
Инструкция, накопитель
36
-
CT1000T705SSD3
Crucial
0 / 0
0.05
0.15 × 0.37 × 0.12
-
PCIe 5.0 x4
PCI-E
10200
13600
для ноутбуков/компьютеров
1000
-
-
1400
1750
1500
-
-
M.2 2280
-
-
-
600
RTL
Внутренний твердотельный накопитель
T705
NAND
10
22
3.81
Накопитель, документация (опция)
12
-
CT2000P3PSSD8
Crucial
0 / 0
0.05
0.36 × 0.13 × 0.15
-
PCIe 4.0 x4
PCI-E
4200
5000
для ноутбуков/компьютеров
2000
Да
P3 Plus
680
850
1500
0...+70C
-
M.2 2280
-
-
-
440
RTL
Внутренний твердотельный накопитель
CT2000P3PSSD8
3D NAND
37
22
2
Накопитель, документация
12
-
Вы смотрели